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采用0.13/xm标准CMOS工艺,全定制设计实现了一款8kB(8k*8bit)的高速低功耗静态随机存取存储器(SRAM)。分析了影响存储器性能和功耗的原因,并在电路布局上做了改进,将两个3—8译码器进行拆分与重组,降低了互连线的延迟和耦合作用;同时,对灵敏放大器也做了改进。版图后仿真表明,在电源电压为1.2V、温度为25℃的典型条件下,读1延时为766.37ps,最大功耗为11.29mW,功耗延时积PDP为8.65pJ,实现了很好的性能。