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阐述了制备器件结构从下到上依次为氧化铟锡玻璃基底、PVA为绝缘层、PCBM为有机层、铝为源漏电极的有机场效应晶体管（OFET）。研究不同浓度的溶液PVA绝缘层对OFET的影响。实验证明40mg/ml的PVA溶液制备绝缘层时对OFET性能有所改善。
基于不同浓度PVA为绝缘层有机层为PCBM的有机场效应晶体管的分析
【摘 要】
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阐述了制备器件结构从下到上依次为氧化铟锡玻璃基底、PVA为绝缘层、PCBM为有机层、铝为源漏电极的有机场效应晶体管（OFET）。研究不同浓度的溶液PVA绝缘层对OFET的影响。实验证
【机 构】
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卓资县财政局
【出 处】
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内蒙古科技与经济
【发表日期】
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2018年14期
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