含纳米硅氧化硅薄膜的光致发光特性

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利用射频磁控溅射复合靶技术,通过调节复合靶的百分比制得富硅的氧化硅薄膜。并在不同的温度下退火。制得含纳米硅的氧化硅薄膜.通过Raman谱的测量。计算出800℃退火的薄膜中纳米硅晶粒的平均尺寸为5.6nm,用X射线衍射测量同样的样品得出其粒径为6.0nm.在室温下测量光致发光(PL)谱,探测样品的峰位为360nm,并结合光致发光激发谱(PLE),研究相应的激发与发光中心.
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