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分析比较了不同种类衬底上无源器件（片上电感和电容）的损耗机理，在OPS（氧化多孔硅）和HR（高阻硅）低损耗衬底上分别实现了片上低通滤波器．为了研究衬底损耗，设计了平面螺旋电感，其Q值在两种衬底上的仿真结果都超过了20．在OPS衬底上的低通滤波器实测-3dB带宽为2．9GHz，通带插入损耗在500MHz为0．87dB；在HR衬底上的低通滤波器实测-3dB带宽为2．3GHz，通带插入损耗在500MHz为0．42dB．