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采用真空蒸发工艺制备镱薄膜传感器，在小于1GPa压力范围内对未经任何处理和300℃真空热处理1h两组镱薄膜传感器进行准静态加载标定，后者的压阻系数明显高于前者，并且大于箔式镱传感器的压阻系数，结合扫描电镜和电学性能测试分析，发现热处理有助于薄膜晶粒长大，降低薄膜电阻率，从而提高了镱薄膜传感器的压阻灵敏度。XRD测试分析结果表明，加压有促使薄膜晶粒长大的趋势。镱薄膜传感器制作工艺简单、性能稳定，在工业中具有广泛的用途。