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NUS3116集成了主电源开关-12V、-6.2A的μCO01单P沟道MOSFET,处理主电池开关功能;还集成了两个内部低饱和PNP晶体管,处理双沟道充电功能。其中,主开关MOSFET的最大漏一源极导通阻抗(RDS(ON))为40m。而两个低Vce(sat)晶体管为高达2A的充电电流提供良好的热性能,