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研究了射频MEMS压控电容器的设计和制造工艺，压控电容器的制作采用了MEMS制造技术，其主要结构为硅衬底上制作金属传输电极和介质层，然后制作金属膜桥作为电容器的另一个电极。通过改变加在金属膜桥与传输线间的电压达到改变电容值的目的。这种压控电容器可以工作于射频和微波波段，具有很高的Q值，测试结果如下；在1GHZ、0V时Q值达到300，0偏压电容值为0.21pf，当加上驱动电压后Cmax/Cmin变比约为4：1。