【摘 要】
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功率器件是宇航电源的重要组成部分，在整个航天技术快速发展的背景下，现有的宇航电源已无法满足小型化、轻量化、高效率和超大功率化的任务要求。以碳化硅（Silicon Carbide，SiC）为代表的宽禁带功率器件可以将宇航电源的工作频率推向至兆赫兹以上，由此将带来宇航电源技术的突破。综合文献及作者实践，回顾了SiC功率器件的发展，介绍了SiC材料的物理特性，分析了SiC功率器件的优势和研究现状。提出S
【机 构】
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兰州空间技术物理研究所二次电源事业部
【基金项目】
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国家重大科技专项工程（2009ZYHW0010）；
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功率器件是宇航电源的重要组成部分，在整个航天技术快速发展的背景下，现有的宇航电源已无法满足小型化、轻量化、高效率和超大功率化的任务要求。以碳化硅（Silicon Carbide，SiC）为代表的宽禁带功率器件可以将宇航电源的工作频率推向至兆赫兹以上，由此将带来宇航电源技术的突破。综合文献及作者实践，回顾了SiC功率器件的发展，介绍了SiC材料的物理特性，分析了SiC功率器件的优势和研究现状。提出SiC功率器件能够成熟应用于宇航电源中需要解决的关键问题，指出SiC功率器件的高开关频率、低导通电阻等优势能够实现高性能、微型化的宇航电源，并对SiC器件在新一代宇航电源应用中的发展方向做出展望。
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