【摘 要】
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基于Micro-Electro-Mechanical System(MEMS)工艺,采用双层谐振腔滤波结构,分析并设计了一种基于MEMS的硅基Substrate Integrated Waveguide(SIW)双通带宽带带通滤波器芯片。设计的滤波器芯片在21.25~29 GHz以及43~47.5 GHz双通带频带内插入损耗小于3 dB,相对带宽分别为30%以及10%,带外抑制度大于20 dB,并且在双通带间产生了零点,尺寸仅为4.2 mm×1.1 mm×0.8 mm。该滤波器是平面堆叠结构,具有体积小、
【机 构】
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南京理工大学,昆山微电子技术研究院,中国科学院微电子研究所
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基于Micro-Electro-Mechanical System(MEMS)工艺,采用双层谐振腔滤波结构,分析并设计了一种基于MEMS的硅基Substrate Integrated Waveguide(SIW)双通带宽带带通滤波器芯片。设计的滤波器芯片在21.25~29 GHz以及43~47.5 GHz双通带频带内插入损耗小于3 dB,相对带宽分别为30%以及10%,带外抑制度大于20 dB,并且在双通带间产生了零点,尺寸仅为4.2 mm×1.1 mm×0.8 mm。该滤波器是平面堆叠结构,具有体积小、
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