【摘 要】
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脉冲流光放电产生的大于等于11.2eV的高能电子能将处于基态的氮分子激发到N2（C^3Πu）态,测试脉冲流光放电时的N2（C^3Πu→B^3Πg）发射光谱相对强度可以得出脉冲流光放电产生的高
【机 构】
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江西理工大学资源与环境工程学院,大连理工大学静电与特种电源研究所
【基金项目】
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国家高技术研究发展计划“863”项目（2003AA642010）资助
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脉冲流光放电产生的大于等于11.2eV的高能电子能将处于基态的氮分子激发到N2（C^3Πu）态,测试脉冲流光放电时的N2（C^3Πu→B^3Πg）发射光谱相对强度可以得出脉冲流光放电产生的高能电子的密度。实验在室温常压下研究了空气中线-板式脉冲流光放电脱硫反应器内高能电子密度分布情况,并研究了脉冲电压、反应器的线线间距对反应器内高能电子密度分布的影响。实验结果表明,反应器内的高能电子主要集中在放电线附近高电场区内,随着离放电线的距离增大,高能电子密度减小;脉冲电压对高能电子密度有很大影响,随着电压的升高,
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