（Si,Er）双注入热氧化硅的光致发光

来源 :光谱学与光谱分析 | 被引量 : 0次 | 上传用户：chwu9423

【摘要】

：

采用强流金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源注入机,先将Si大束流注入热氧化SiO2/单晶硅,直接形成镶嵌在SiO2中的纳米晶Si,再小束流注入Er.Er离子在掺杂层中的浓度可达1021 cm-3量

【作者】

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肖志松徐飞张通和程国安顾岚岚

【机构】

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北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,南昌大学材料科学与工程系,南昌大学材料科学与工程系,复旦大学应用表面物理国家重点实验室

【出处】

：

光谱学与光谱分析

【发表日期】

：

2002年4期

【关键词】

：

氧化硅离子注入纳米硅铒光致发光半导体材料掺杂稀土 ion implantation erbium nanocrystal Si photol

【基金项目】

：

国家自然科学基金，复旦大学校科研和教改项目

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采用强流金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源注入机,先将Si大束流注入热氧化SiO2/单晶硅,直接形成镶嵌在SiO2中的纳米晶Si,再小束流注入Er.Er离子在掺杂层中的浓度可达1021 cm-3量级,大大地提高了作为孤立发光中心的Er3+浓度.在77 K和室温下,观察到了Er3+的1.54 μm特征发射.

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