【摘 要】
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用InGaAs/InP雪崩二极管进行单光子探测,其工作温度和偏置电压是影响InGaAs/InP单光子探测器探测性能的重要因素。介绍了基于ADN8831控制器控制半导体热电制冷器来实现红外单
【机 构】
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广东工业大学实验教学部,广东工业大学网络信息与现代教育技术中心,
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用InGaAs/InP雪崩二极管进行单光子探测,其工作温度和偏置电压是影响InGaAs/InP单光子探测器探测性能的重要因素。介绍了基于ADN8831控制器控制半导体热电制冷器来实现红外单光子探测器的精密温度控制的方法;并分析了几组不同温度下光电流、暗电流-电压特性曲线,得出一些结论。
Single-photon detection with InGaAs / InP avalanche diodes, the operating temperature and bias voltage is an important factor affecting the detection performance of InGaAs / InP single-photon detectors. The method of controlling the precise temperature control of the infrared single photon detector based on the ADN8831 controller is introduced. The curves of photocurrent and dark current - voltage under different temperatures are also analyzed. Some conclusions are drawn.
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