【摘 要】
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<正> 微波领域中广泛应用的场效应晶体管(FET)、双极型晶体管(BPT)以及近年来正在开发的性能优越的高电子迁移率晶体管(HEMT)均系三端器件。早在1968年文献[1]己指出宜用三端
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<正> 微波领域中广泛应用的场效应晶体管(FET)、双极型晶体管(BPT)以及近年来正在开发的性能优越的高电子迁移率晶体管(HEMT)均系三端器件。早在1968年文献[1]己指出宜用三端口S参数来表征晶体管特性并进行电路设计。但是由于具体分析计算的复杂性,直至今日一般仍沿用一端接地的两端口S参数来分析这种三端口电路。这样在分析并联反馈或串联反馈的晶体管电路(例如反馈放大器或振荡器等)时必须通过S参数与Y参数或Z参数之间的转换关系
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