论文部分内容阅读
采用高温-高压法(HPHT)合成了Sr掺杂PbTiO3(Pb1-xSrxTiO3简称为PSTO)体陶瓷,利用XRD、阿基米德法、阻抗分析等手段研究了Sr掺杂量(x=0.1、0.3、0.5、0.7)、氧处理工艺(温度、时间)对不同高压合成条件下的PSTO样品的晶体结构及其介电性能的影响;实验结果表明采用高压低温法可以制备出达到理论密度92%以上的Sr掺杂PbTiO3(Pb1-xSrxTiO3)体陶瓷.在居里温度以下随着x的增大,样品的c轴减小而a(b)轴增大,c/a减小,晶胞体积收缩.而随着x的增大,晶体的相对介电常数εr呈上升趋势.短时间退火可以改善高压合成样品的介电性能.