超高真空CVD对锗硅外延材料中锗分布的优化

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对自行研制的超高真空化学气相外延设备(RHT/UHV/CVDSGE500)的气路系统进行了改进,使之能够生长出较好的Ge分布图形。利用X射线双晶衍射(DCXRD)和二次离子质谱(SIMS)测试技术,研究并优化了外延生长参量,最终得到了具有优化Ge分布的SiGe材料。
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