【摘 要】
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介绍了L波段宽带硅微波脉冲300W大功率晶体管研制结果。该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻和热稳定等新工艺技术,在1.2～1.4GHz频带内,脉宽150μs,
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介绍了L波段宽带硅微波脉冲300W大功率晶体管研制结果。该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻和热稳定等新工艺技术,在1.2～1.4GHz频带内,脉宽150μs,占空比10%和40V工作电压下,全带内脉冲输出功率大于300W,功率增益大于8.75dB,效率大于55%。
The research results of L-band broadband microwave pulse 300W high-power transistor are introduced. The device adopts microwave power tube ring mesa junction termination structure, nonlinear ballast resistance and thermal stability of new technology, in the 1.2 ~ 1.4GHz frequency band, pulse width 150μs, duty cycle 10% and 40V operating voltage, The whole belt pulse output power is greater than 300W, the power gain is greater than 8.75dB, the efficiency is greater than 55%.
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