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利用磁控溅射的方法在p-si上制备了高k(高介电常数)栅介质HfO2薄膜的MOS电容，对薄栅氧化层电容的软击穿和硬击穿特性进行了实验研究．利用在栅极加恒电流应力的方法研究了不同面积HfO2薄栅介质的击穿特性以及击穿对栅介质的I-V特性和C-V特性的影响．实验结果表明薄栅介质的击穿过程中有很明显的软击穿现象发生，与栅氧化层面积有很大的关系，面积大的电容比较容易发生击穿．分析比较了软击穿和硬击穿的区别，并利用统计分析模型对薄栅介质的击穿机理进行了解释．