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采用磁控溅射技术在单晶硅片上制备了恒定调制周期 （λ=25,40 nm）、不同调制比（η=0.1~10.5）的Cu/Zr纳米多层膜。分别通过透射电子显微镜研究分析Cu/Zr多层膜的微观结构，通过四探针测量法系统研究Cu/Zr多层膜电阻率的尺寸效应。微观结构分析表明：Cu/Zr多层膜呈现周期性层状结构，层界面清晰。调制周期与调制比均显著影响Cu/Zr多层膜的电阻率（ρ）。相同调制周期下，η大于临界调制比（ηC≈1）时，ρ几乎与η无关; 而η小于此临界调制比（ηC≈1）时，ρ随η减小急剧增大。利用Fuchs-