论文部分内容阅读
作为一种在软磁材料中发现的高灵敏交流磁阻抗效应,巨磁阻抗效应的强弱不可避免地要受到各种因素的影响,其中材料微观结构以及交流信号频率等的影响是不可忽略的。本文在对FeNiCrSiB薄膜的工作中发现;FeNiCrSiB薄膜的ΔZ/│Z│变化基本与其实部ΔR/R0的变化趋势相吻合,阻抗虚部X的绝对值和影响较小。