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研究了采用直流反应磁控溅射法制备TiN薄膜的工艺条件。研究发现：在保持其它工艺参数不变的条件下，溅射的TiN薄膜在不同温度区域存在的物相不同，薄膜的主要成分是多晶立方相TiN，240℃附近是薄膜择优取向由（111）向（200）转变的临界点。随着基底温度升高，薄膜表面粗糙度先变小后变大，沉积最佳基底温度值是330℃，该温度下薄膜的粗糙度最小，膜层致密均匀，没有大尺寸缺陷且光洁度好。