【摘 要】
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双极集成电路需要在不影响器件特性的前提下通过缩小基区面积提高电路密度。利用LTO淀积SiO2薄膜替代热氧化SiO2薄膜,用LTO较低淀积温度进行发射区退火替代氧化退火工艺,双极
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双极集成电路需要在不影响器件特性的前提下通过缩小基区面积提高电路密度。利用LTO淀积SiO2薄膜替代热氧化SiO2薄膜,用LTO较低淀积温度进行发射区退火替代氧化退火工艺,双极器件的基区和发射区消除了"分凝"和"鸟嘴"现象,具有自然扩散的形貌特征,缩小了基区面积,优化了器件结构,可以有效提高器件集成密度。在基区和发射区工艺控制方面,LTO工艺减少了高温工序,有效节约能源和掺杂材料消耗;该工艺流程比较简短紧凑,有利于实现工艺标准化,减少由于不确定工艺因素造
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