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该文报导了Ｂｉ１．８Ｐｂ０．４Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ厚膜在低磁场下的电阻转变特性。实验结果表明，在几十高斯的磁场和低测量电流密度下，电阻温度（Ｒ－Ｔ）曲线明显存在一个拐点将曲线分成转变规律不同的两部分。厚膜的零阻电阻温度Ｔｃｏ明显地随测量电流密度Ｊ和磁场Ｈ的增大而降低。在零场下，临界电流密度Ｊｃ和Ｔ满足Ｊｃ∞（１－Ｔ／Ｔｓ）１．９８关系。在（Ｈ，Ｔ）相图上，磁场Ｈ和温度Ｔ满足Ｈ∞（１－Ｔ／Ｔｓ）ｎ