非晶层占比对TEM样品成像的影响

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研究了非晶层占比对半导体器件透射电子显微镜(TEM)样品成像的影响。聚焦离子束(FIB)是制备TEM样品的重要工具,在TEM样品制备过程中,离子束损伤会在样品表面产生非晶层而使TEM图像产生畸变失真。在28 nm技术节点以下半导体器件TEM样品制备中,传统的制备方法会使样品在TEM下呈现非晶像或者图像质量不佳而不再适用。制备了一种楔形样品并使用平面转截面的样品制备方法研究了TEM呈晶格像时和非晶层临界占比的关系。实验表明,当样品中非晶层的占比超过0.66时,其在TEM下的成像为非晶像;当低于这一数值
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