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在传统CMOS带隙基准源的基础上，采用温度补偿和差分负反馈的方法，提出了一种多路V／I输出的高性能CMOS带隙基准源结构。基于0．5μmCMOS工艺，进行了设计实现。HSPICE仿真结果表明，该带隙基准源具有较低的温度系数（7．9×10^-6／℃，0-100℃），电源电压从1．9V变化到5．5V，输出仅变化1．8mV，基准源输出为1．233V，分压电路产生多路输出，基准电流4μA，温度系数均小于12×10^-6／℃（-25℃～125℃）。