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本文采用高频溅射方法，在抛光Ｓｉ（１１１）衬底上制备出碳化硅薄膜，了薄膜的高温真空退火勺，实验表明，退火后的薄膜具有较淡理想的结晶取向和发光性质。
高频溅射碳化硅薄膜的退火效应
【摘 要】
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本文采用高频溅射方法，在抛光Ｓｉ（１１１）衬底上制备出碳化硅薄膜，了薄膜的高温真空退火勺，实验表明，退火后的薄膜具有较淡理想的结晶取向和发光性质。
【机 构】
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中国科学技术大学结构研究开放实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1996年5期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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