【摘 要】
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一、界面复合速度的测量: 1) 原理: 图1是GaAs-Al_(0.3)Ga_(0.7)As DH结构的示意图。注入到p-GaAs层内的少数载流子(电子)的寿命由体内复合和界面复合决定。令两组样品的p-G
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所
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一、界面复合速度的测量: 1) 原理: 图1是GaAs-Al_(0.3)Ga_(0.7)As DH结构的示意图。注入到p-GaAs层内的少数载流子(电子)的寿命由体内复合和界面复合决定。令两组样品的p-GaAs层厚度为d_1和d_2,则可测出
First, the interface composite velocity measurement: 1) Principle: Figure 1 is a schematic diagram of GaAs-Al_ (0.3) Ga_ (0.7) As DH structure. The lifetime of minority carriers (electrons) injected into the p-GaAs layer is determined by in-vivo recombination and interfacial recombination. The p-GaAs layer thicknesses of the two samples are d_1 and d_2, respectively
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