【摘 要】
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采用化学气相沉积方法,利用Sb2O3/Sn O作为源材料,在蓝宝石衬底上制备出不同Sb掺杂量的SnO2薄膜,并在此基础上制作出p-SnO2：Sb/n-SnO2同质p-n结器件.研究表明,随着Sb含量的增
【机 构】
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辽宁师范大学物理与电子技术学院,大连理工大学物理与光电工程学院
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采用化学气相沉积方法,利用Sb2O3/Sn O作为源材料,在蓝宝石衬底上制备出不同Sb掺杂量的SnO2薄膜,并在此基础上制作出p-SnO2：Sb/n-SnO2同质p-n结器件.研究表明,随着Sb含量的增加,样品表面变得平滑,晶粒尺寸逐渐增大,且晶体质量有所改善,发现少量Sb的掺入可以起到表面活化剂的作用.Hall测量结果证实适量Sb的掺杂可以使SnO2呈现p型导电特性,当Sb2O3/SnO的质量比为1：5时,其电学参数为最佳值.此外,p-SnO2：Sb/n-SnO2同质p-n结器件展现出良好的整流特性，其
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