【摘 要】
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据《Simeconductor FPD Worl》2009年第1期报道,日本三洋半导体公司新开发了业界最大额定电流100A的超薄型功率MOSFET系列(ATPAK20X系列),该系列采用Clip bonding技术和第四
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据《Simeconductor FPD Worl》2009年第1期报道,日本三洋半导体公司新开发了业界最大额定电流100A的超薄型功率MOSFET系列(ATPAK20X系列),该系列采用Clip bonding技术和第四代Trench工艺技术。与原产品(JEDEC:TO-252)相比,欧姆阻抗降低65%,实现100A大电流和低功耗。与TO-263相
According to “Simeconductor FPD Worl”, Issue 1, 2009, SANYO Semiconductor Co., Ltd. of Japan newly developed the ultra-thin power MOSFET series (ATPAK20X series) with the industry’s largest rated current of 100A using Clip bonding technology and the fourth generation of Trench process technology . Compared with the original product (JEDEC: TO-252), the ohm resistance is reduced by 65%, achieving 100A high current and low power consumption. And TO-263 phase
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