【摘 要】
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研究了一种可抗高温强碱溶液腐蚀的氮化硅薄膜的等离子增强化学气相淀积（PECVD）生长工艺。通过X射线光电子能谱（XPS）、椭圆偏振仪、湿法腐蚀等手段分析了所生长薄膜的元素含量、
【机 构】
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中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室
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研究了一种可抗高温强碱溶液腐蚀的氮化硅薄膜的等离子增强化学气相淀积（PECVD）生长工艺。通过X射线光电子能谱（XPS）、椭圆偏振仪、湿法腐蚀等手段分析了所生长薄膜的元素含量、折射率、抗腐蚀特性等性质随淀积工艺条件的改变所产生的变化。制备出的氮化硅薄膜可在高温强碱溶液（70℃、33.3%KOH溶液）中支撑12h而无明显变化,并实现自支撑全镂空薄膜。
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