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<正> 由于功率MOSFET的漏·源间有寄生器晶体管(图1)存在,漏源间电压的上升速率dv_(DS)/dt受限制。漏·源间电压V_(DS)的急剧上升,电流对图1的电容C充电,使等效NPN晶体管导通,往往使器件损坏。
所谓功率MOSFET中的dv／at是什么
【摘 要】
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<正> 由于功率MOSFET的漏·源间有寄生器晶体管(图1)存在,漏源间电压的上升速率dv_(DS)/dt受限制。漏·源间电压V_(DS)的急剧上升,电流对图1的电容C充电,使等效NPN晶
【出 处】
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集成电路应用
【发表日期】
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1990年3期
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