离子注入在红外与电荷耦合器件中的应用与研究

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我所于1982年建立了以LC-2A型离子注入机为核心的离子注入实验室后,我们开展了离子注入在红外器件和电荷耦合器件中的应用研究及离子注入物理的研究。离子注入技术已成为我所半导体器件研制中的必不可少的工艺技术。离子注入物理的分析研究工作也获得某些结果。 After establishing the ion implantation laboratory with LC-2A ion implanter as the core in 1982, we carried out the ion implantation research on the infrared devices and charge-coupled devices and the ion implantation physics. Ion implantation technology has become an indispensable technology in the development of our semiconductor devices. Some results have also been obtained in the analytical work of ion implantation physics.
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