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介绍了离子注入Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体特点，论述了离子注入Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体获得ｎ、ｐ型衣深补偿能菜的研究现状，讨论了离子注入Ⅲ－Ⅴ族化合物后的退火及其保护问题。
离子注入在Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体中的应用
【摘 要】
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介绍了离子注入Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体特点，论述了离子注入Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体获得ｎ、ｐ型衣深补偿能菜的研究现状，讨论了离子注入Ⅲ－Ⅴ族化合物后的退火及其保护问题。
【机 构】
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山东师范大学半导体研究所
【出 处】
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半导体杂志
【发表日期】
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1999年3期
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