【摘 要】
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采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算研究了应力对TiS3单层材料电子性质的影响.研究发现,TiS3单层材料是直接带隙半导体,带隙1.06 eV,符合实验值.TiS3在a方向上更容易
【机 构】
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钢铁研究总院,北京 100081;安泰科技股份有限公司,北京 100081;安泰科技股份有限公司,北京,100081;中国科学院半导体研究所 超晶格国家重点实验室,北京,100083
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采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算研究了应力对TiS3单层材料电子性质的影响.研究发现,TiS3单层材料是直接带隙半导体,带隙1.06 eV,符合实验值.TiS3在a方向上更容易产生形变,在不同方向应力作用下,带隙、价带顶和导带底都会随应力变化而不断变化.其中,当b方向压应力增加到6％时,TiS3由直接带隙转变为间接带隙.分析载流子有效质量得到,在任何方向拉应力作用下,载流子有效质量对应力相应不敏感.在b单轴方向和双轴方向压应力作用下,载流子有效质量表现出强烈的各向异性.这一研究对深入理解应力调控TiS3的电子结构意义深远.
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