【摘 要】
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对In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管（APD）探测器进行了特性分析。以大阵列研究为基础,结合器件特性设计了一个2×8低噪声读出电路（ROIC）,电路主要由电容反馈互阻放大器（CTIA）
【机 构】
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华东师范大学信息学院极化材料与器件教育部重点实验室,南通大学电子信息学院
【基金项目】
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科技部重大项目资助（2006CB932802）,南通大学自然科学项目资助（072039）
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对In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管（APD）探测器进行了特性分析。以大阵列研究为基础,结合器件特性设计了一个2×8低噪声读出电路（ROIC）,电路主要由电容反馈互阻放大器（CTIA）和相关双采样（CDS）电路单元构成,并对读出电路的时序、积分电容等进行了设计。电路采用0.6μm CMOS工艺流片,芯片面积为2 mm×2 mm,电荷存储能力为5×107个,功耗小,噪声低,设计达到预期要求。
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