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采用射频磁控溅射方法，结合氮气氛退火处理工艺制备二氧化钒薄膜，研究溅射功率对氧化钒薄膜电阻温度性能的影响利用X射线衍射仪和X射线光电子能谱仪对薄膜的结晶结构和成分进行了分析，利用四探针测试仪测试了样品的电阻温度特性实验结果表明，在保持优化氧分压和热处理工艺条件不变的情况下，氧化钒薄膜的方块电阻随溅射功率的升高逐渐下降；经450℃热处理后，氧化钒薄膜出现了明显的半导体-金属相变特性，相变的幅度随溅射功率的增加而逐渐下降；在溅射功率为150W时，获得了相变幅度接近3个数量级的高性能二氧化钒薄膜．