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在GaAs上用电子束蒸发淀积LaB6薄膜及其界面的电学特性

来源 :真空科学与技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：qqqq406340142

【摘 要】

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用自制的简便电子束蒸发炉,在GaAs(100)表面上蒸发淀积了良好的LaB_6薄膜,由AES分析表明膜成分的化学配比正确,并制成LaB_6/GaAs肖特基二极管,基势垒高度为0.75eU(Ⅰ-Ⅴ法),

【作 者】

：

毛祖遂 魏赛珍 

【机 构】

：

浙江大学物理系,浙江大学物理系杭州310027,杭州310027,杭州310027

【出 处】

：

真空科学与技术

【发表日期】

：

1992年5期

【关键词】

：

薄膜性质 六硼化镧 电子束 蒸发 Electron beam  Evaporation  LaB_6 film  Interface electronic ch 

【基金项目】

：

江省自然科学基金

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用自制的简便电子束蒸发炉,在GaAs(100)表面上蒸发淀积了良好的LaB_6薄膜,由AES分析表明膜成分的化学配比正确,并制成LaB_6/GaAs肖特基二极管,基势垒高度为0.75eU(Ⅰ-Ⅴ法),理想因子为1.1,反向击穿电压达16V,表明LaB_6作为GaAs MESFET的栅材料是合适的。

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