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利用射频磁控溅射在普通玻璃上制备了（0002）择优取向的ZnO∶Al薄膜。采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ECR-PEMOCVD）技术,在ZnO∶Al薄膜衬底上沉积了厚度为320 nm的GaN薄膜。利用高能电子衍射（RHEED）、X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）和光透射谱等表征方法,研究了沉积温度对GaN薄膜的结晶性、表面形貌和透射率的影响。