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介绍了Ｐ型硅场发射二极管阵列的工艺与实验研究，并讨论了硅发射体表面薄氧化层对其伏安特性的影响。
硅场发射二极管阵列的实验研究
【摘 要】
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介绍了Ｐ型硅场发射二极管阵列的工艺与实验研究，并讨论了硅发射体表面薄氧化层对其伏安特性的影响。
【机 构】
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西北工大,西安电子科技大学
【出 处】
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真空电子技术
【发表日期】
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1994年2期
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