生长和退火气氛对Cr:Mg2SiO4晶体光谱的影响

来源 :硅酸盐学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wangkaihao_2008
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在不同氧含量的气氛中生长了Cr:Mg2SiO4晶体,研究了生长及退火气氛对晶体光谱的影响。实验表明,提高生长气氛中的氧含量,有利于4价Cr离子的形成。调节生长气氛中的氧含量,可以改变所生长晶体的荧光光谱,以满足可调谐激光的要求。晶体的退火实验表明,退火气氛对晶体光谱也有明显影响。研究结果有助于进一步加强对该晶体发光中心及其作用机理的认识。
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