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格芯GLOBALFOUNDRIES22FDX~（22nmFDSOI）工艺是一个差异化的工艺，它能有FinFET工艺那样的性能，也能有28nm工艺设计技术上的简单和成本优势。这个工艺所具有的后栅偏压可调（back—gatebias）的功能及其优化功耗、性能和面积（Power，PerformanceandArea，PPA）的特性能提供巨大的机会，能在广阔的应用市场去设计目前已经存在的并差异化的产品。在这篇论文中，我们会讨论到利用这种工艺特征以及电路设计和工艺技术的相互优化，从而设计出基于22FDX~工艺最好的