【摘 要】
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研究了镧锶铋钛系陶瓷的介电性能与缺陷机构。结果表明,镧含量低时,材料中存在复合缺陷,且材料的介电常数随镧含量增加呈现峰值;当镧含量较高时,镧在锶铋钛系中的替代位置由A
【机 构】
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浙江大学材料科学与工程系,浙江大学物理系,华中理工大学固体电子学系,华中理工大学固体电子学系
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研究了镧锶铋钛系陶瓷的介电性能与缺陷机构。结果表明,镧含量低时,材料中存在复合缺陷,且材料的介电常数随镧含量增加呈现峰值;当镧含量较高时,镧在锶铋钛系中的替代位置由A位向B位移动,呈现施-受主补偿,使得材料中复合缺陷解体,材料的介电常数下降。在缺陷机构发生改变的过程中,材料的电子密度变化不大。此外.根据正电子湮没寿命谱的结果,对材料中缺陷机构的进一步分析证实了上述缺陷模型的合理性。
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