【摘 要】
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采用磁控溅射的方法在Si基片上制备了La0．5Sr0．5MnO3-δ／Fe异质结构，并对结构的输运特性进行了分析，表明该异质结构在整个测量的温度区间内呈现半导体特性。激光辐照导致样品电阻
【机 构】
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西北工业大学理学院应用物理系,西安科技大学基础部
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采用磁控溅射的方法在Si基片上制备了La0．5Sr0．5MnO3-δ／Fe异质结构，并对结构的输运特性进行了分析，表明该异质结构在整个测量的温度区间内呈现半导体特性。激光辐照导致样品电阻减小，并产生瞬态光电导效应，即随着激光的关闭电阻瞬间恢复到原值。分析认为该异质结的瞬态光电导效应与La0．5Sr0．5MnO3-δ层的氧缺陷有关。
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