MBE生长In_0.52Al_0.48AS/In_0.53Ga_0.47AS/InP材料

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:cxn0371
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
<正>人们普遍认为,InAlAs/InGaAs/InP系统是极有发展前途的低噪声、高频器件材料。因为与InP晶格匹配的In_xGa_(1-x)As中In组分x值为0.53,这比In_(x≤0.2)Ga_(1-x)As/GaAs赝配结构中In组分大得多,从而有大的电子饱和速度(2.6×10~7cm/s)和高的室温迁移率(~10000cm~2/V·s)。大的导带不连续性(0.5eV),使量子阱对电子的限制作用增强,且掺杂浓度高,因而二维电子气(2DEG)密度大。测量结果还表明,
其他文献
为实现在多楼层大面积的室内环境下获得精准定位信息,以芬兰Tampere大学的公开数据集为基础,建立基于Wi-Fi位置指纹算法模型。使用自动编码器模型和神经网络模型结合训练进行
从贵州民族图书馆的定位及理念出发,强调用战略的眼光、发展的观点、创新的观念、辩证的思维,打造好民族文献中心和现代化服务平台,做好全方位文化服务,营造全新阅读环境,实
微波技术在化学中的应用十分广泛.微波技术在有机合成中的应用应该从合成实例、反应机理及发展趋势等方面进行把握.
洪业是中国现代索引史上一位学贯中西、成就卓著的索引大家。他的索引学思想体现在学术与索引观、索引创新观、索引编纂观、索引序论观和索引人才观。他充分利用中外资源,建立
推导得出了线极化和圆极化状态下评估极化失配因子的数学模型,基于西安地区降雨率测量数据和北京、三亚地区统计降雨率数据,给出了西安、北京、三亚地区Ka频段地空链路雨致极
采用穴状配体氨基聚醚2.2.2催化下的亲核取代反应,以[19F]F-(KF)代替18FDG合成中的[18F]F-与前体化合物1,3,4,6-四氧乙酰基-2-氧三氟甲烷磺酰基-β-右旋吡喃甘露糖反应,应用18FDG自动合成系统制备19FDG,并用19F-NMR方法验证了无载体18FDG合成的异
<正>自1978年第一块单片开关电路问世以来,各种电路结构形式以及各种工作频率的单片移相器不断涌现.由于单片移相器具有控制速度快、功耗低、尺寸小、重量轻及频带宽等优点,
简述了注入锁定放大器的基本原理。对基本电路结构进行合理选择与改进,实现电路与崩越器件的最佳阻抗匹配。采用特殊措施抑崩越管特有的低频振荡现象,防止器件烧毁。所研制的8毫
套料软件同计算机操作系统一样经历从D O S到Windows的两个发展阶段。从20世纪70年代开始,DOS版的数控软件称为编程软件,主要功能是对DXF零件图进行编程,即编写NC切割路径。
本文用直流磁控溅射方法在离子注入n型GaAs衬底上制备了WSi_xN_y难熔金属膜,研究了它的热稳定性、界面和势垒特性.同时对WSi_(0.6),W,WN等难熔栅金属膜也进行了研究.AES和SIM