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作为第三代半导体的典型代表之一，氧化锌在光电探测器领域也有广泛应用。处于禁带内的缺陷能级会给氧化锌的光学和电学性质带来变化。掺杂会使得缺陷能级发生进一步的变化，导致氧化锌薄膜的光电性质发生变化。本文综述了基于硼、银和钴掺杂氧化锌薄膜材料上发现的红外激光感生电压效应的研究进展，其中包括了光生电压随入射激光位置和角度发生变化的变化规律。由此得到，掺杂氧化锌薄膜可以用做红外激光探测。