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研制出一种直接覆铜ＡｌＮ基板。先将ＡｌＮ陶瓷基板作表面氧化处理，然后在１０６３－１０７０℃下，氮气氛中煅烧，使铜箔直接焊敷在ＡｌＮ基板上。铜箔的剥离强度可达到８５３．２Ｐａ，厚度为０．１－０．５ｍｍ，最大基板面积可达５０ｍｍ×５０ｍｍ。
氮化铝陶瓷直接覆铜技术
【摘 要】
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研制出一种直接覆铜ＡｌＮ基板。先将ＡｌＮ陶瓷基板作表面氧化处理，然后在１０６３－１０７０℃下，氮气氛中煅烧，使铜箔直接焊敷在ＡｌＮ基板上。铜箔的剥离强度可达到８５３．２Ｐａ，厚度为０．１－０．５ｍｍ，最大基板面积可达５０ｍｍ×５０ｍｍ。
【机 构】
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信息产业部第43研究所
【出 处】
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电子元件与材料
【发表日期】
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1999年5期
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