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本文是文献［１］的续篇，给出了在多单晶硅发射极区域中涉动电流和存贮电荷的解析分析，将它们表示成发射结电压Ｖｂｅ的函数。在文献［１］中已知Ｖｂｅ决定于基区中的正态模涉动电流，从而发射极区域中的涉动电流与存贮电荷也是收集传导电流Ｉｃ和收集极与基极这间电位差 Ｖｃｂ的函数。在此基础上，并与文献［１］相结合，本文对多晶硅自对准结构双极型晶体管工作于饱和的行为提出了一个严格的解析模型。