论文部分内容阅读
利用脉冲激光沉积法，在氧气氛下（氧分压为20Pa）以硅为基体制备了ZnO：Al透明导电膜．靶材选用（ZnO）1-x（Al2O3）。陶瓷靶，沉积过程中基体温度保持在600℃．通过对膜进行霍尔效应测量及SEM、XRD测试分析，研究了靶材中的化学配比（掺杂比）对膜的电学特性的影响．结果表明：掺杂比影响着膜的电学性能和膜的结晶状况．掺杂铝的质量分数为1．37％时所获得的ZnO薄膜具有最小的电阻率．