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采用基于密度泛函理论的赝势平面波方法,对掺Mn的β-FeSi2的几何结构和电子结构进行了计算。计算表明：(1)杂质的掺入改变了晶胞体积及原子位置,掺杂是调制材料电子结构的有效方式；(2)在β-FeSi2中掺入杂质时掺杂原子的置换位置具有择位性,Mn掺杂时倾向于置换FeI位的Fe原子；(3)能带结构计算表明：掺Mn使得β-FeSi2的费米面向价带移动,形成了p型半导体。