【摘 要】
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文章利用分子束外延(molecular beam epitaxy,MBE)法在蓝宝石衬底上制备拓扑绝缘体Bi2Se3和掺杂Mn的拓扑绝缘体Bi 2Se 3的异质结薄膜。利用反射高能电子衍射仪(reflection hi
【机 构】
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合肥工业大学电子科学与应用物理学院
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(21503061);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JZ2015HGXJ0184;JZ2016HGBZ1046);国家大学生创新实验资助项目(201510359035)
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文章利用分子束外延(molecular beam epitaxy,MBE)法在蓝宝石衬底上制备拓扑绝缘体Bi2Se3和掺杂Mn的拓扑绝缘体Bi 2Se 3的异质结薄膜。利用反射高能电子衍射仪(reflection high-energy electron diffraction,RHEED)和X射线衍射仪(X-ray diffraction,XRD)对不同条件制备的样品晶相进行分析,获得最优的制备参数,主要包括衬底温度为390℃、Bi和Se的流量比为1∶10以及Mn流量对应的温度为590℃;利用综合物性测
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