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在衬底温度为350℃的条件下，用分子束外延的方法，在不同的砷压条件下生长了GaAs/Al0.3Ga0.7As多量子阱结构。77K的荧光实验证明，砷压对样品的光学特性影响显著。认为砷压对低温多量子阱光学特性的影响是点缺陷随砷压的演化和能级间相互补偿的共同结果。通过优化砷压，样品的荧光峰的半峰宽减小到3meV，这是到目前为上所报道过的最窄的低温多量子阱的荧光峰。相应的垂直场光折变器件的电吸收为6000cm^-1。